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iPHEMOS-MPX

iPHEMOS-MPX 是一款高分辨率微光显微镜,它能通过探测半导体器件中缺陷导致发出的微弱光和热来定位失效位置。

可安装两个超高灵敏度相机

可安装多达 4 个 OBIRCH、DALS、EOP 和激光器标记光源

高灵敏度微距镜头和多达 10 个镜头,适用于每个探测器灵敏度波长

专为先进器件设计的高精度载物台

优势特点

可安装两个超高灵敏度相机

通过涵盖不同的发射分析和热分析检测波长范围,从而可以轻松选择与样品和故障模式相匹配的分析技术。


可安装多达 4 个 OBIRCH、DALS、EOP 和激光器标记光源


高灵敏度微距镜头和多达 10 个镜头,适用于每个探测器灵敏度波长

高灵敏度微距镜头和多达 10 个镜头,适用于每个探测器灵敏度波长

X60 mm
Y60 mm
Z60 mm

* 由于使用了探针台,加上样品台或 NanoLens 安装的干涉,工作范围可能窄于这些值。


基本显示功能

叠加显示/对比度增强功能

s-phemos-x-pf4-xx.jpeg

iPHEMOS-MPX 将微光图像叠加在高分辨率图案图像上,以快速定位缺陷点。 对比度增强功能使图像更清晰、更细腻。

对比度增强功能使图像更清晰、更细腻。

显示功能

注释:评论、箭头和其他指示符可以显示在图像上所需的任何位置。

刻度显示:可以在图像上分段显示刻度宽度。

网格显示:可以在图像上显示垂直和水平网格线。

缩略图显示:图像可以存储为缩略图并进行调用,并且可以显示图像信息,例如载物台坐标。

拆分屏幕显示:可以在 6 窗口屏幕中一次显示图案图像、微光图像、叠加图像和参考图像。

s-failure-analysis-system-td-imaging-pf1-cn.jpeg

TD Imaging

TD Imaging (可选)是一项适用于识别逻辑半导体等复杂结构半导体中缺陷的新技术。它可以通过内部金属半导体精准定位缺陷。


详细参数
尺寸/重量主机:1654 mm (W) × 1541 mm (H) × 1200 mm (D)*1,约 1100 kg*2
系统/仪器机架:880 mm (W) × 1841.5 mm (H) × 715 mm (D)*1,约 300 kg
操作台*3:1000 mm(宽)× 700 mm(高)× 800 mm(深),约 39.2 kg(C16216-01 操作台) / 1480 mm(宽)× 700 mm(高)× 800 mm(深),约 48.6 kg(C16216-02 操作台)
线路电压单相 200 V 至 240 V
用电功耗约 3300 VA
真空度至少 80 kPa
压缩空气*40.5 MPa ~ 0.7 MPa

*1:不包括突出部分
*2:包括一个样品载物台
*3:选项
*4:包括调节器