可靠老化设备-间歇寿命测试系统-双赢电子科技国际有限公司

贴合AEC-Q101标准要求开发设计，功能覆盖二极管、三极管、MOS管、IGBT单管等Si / SiC / GaN分立器件的间歇寿命试验IOL 和稳态寿命试验CFOL；系统可直观监测IOL试验全过程中每个DUT的△Tj。

优势特点

单通道80工位，能满足77Pcs/批次，优化的结构设计能满足在完全相同的物理散热环境下试验

不同封装形式配置不同的子板，增强了母板的通用性和子板的灵活性，涵盖常开器件和常闭器件大大降低后期使用成本

优化的高速采集线路，可实现整板最多80工位的连续采样，整板完成采样时间≈500uS，确保真实性和准确性

MOS管：既可采用沟道加载模式，又可采用体二极管Ih加热的老化模式， 24工位/48工位/80工位可选

上位机软件

核心参数

风冷试验腔	16套；室温风冷型
容量	串联模式：单板 80 工位同时检测△Tj / 整机1280工位；并联模式：单板 48 工位同时检测△Tj / 整机 768工位
试验电源	(0-60V / 2400W) * 16台
驱动检测板	数量	16块
	恒流源	单板4路20A恒流源输出，并联可达60A，可用于IGBT单管;
	试验电压检测	0.00V～99.9V；精度：±(1％ + 1LSB)；
	试验电流检测	Id检测范围：0.1A~20.0A(二极管/MOS/IGBT)； 0mA~400mA(三极管/MOS)
	Vf检测精度	±1mV
	Im发生范围	0~99.9mA ; 精度：±(1％ + 1LSB)
	Tj结温测试	20℃～175℃；精度：±(1％ + 1LSB)

MK - T8000

温度范围	25℃～175℃；
容量	单通道，一次性测试12颗DUT，取均值得出更为有代表性的K线
驱动检测板	Im 电流检测发生：±1.0mA-±99.9mA；精度：±1％＋0.1mA Vf 采样范围：0.00~4.000V；精度：±0.5％＋0.2mV

BTD - T877

温度范围	-70℃ ~ +150℃
温度变化速率	≥15 ℃/min；功率间歇：1min~10min可设置
容量	8个试验通道，64/80工位单板；512/640工位整机
试验电源	4台100V/7.5A+4台20V/35A
驱动检测板	单板16路1mA～100mA恒流电子负载，8块试验电流检测范围：0.0～100.0mA；精度1％±2LSB 试验电压检测范围：0.0～100.0V；精度1％±1LSB